Большая Советская энциклопедия
фотомагнитноэлектрический эффект, возникновение электрического поля в освещенном полупроводнике (См. Полупроводники), помещенном в магнитное поле. Электрическое поле перпендикулярно магнитному полю и потоку носителей тока (электронов проводимости (См. Электрон проводимости), дырок (См. Дырка)), диффундирующих в полупроводнике в направлении от освещенной стороны полупроводника, где поглощённые фотоны образуют электронно-дырочные пары, к неосвещенной. К. — Н. э. наблюдается при резко неоднородной концентрации неосновных носителей тока, что достигается при сильном поглощении света. Открыт в 1933 И. К. Кикоиным и М. М. Носковым. Применяется при исследовании полупроводников.
Физическая энциклопедия
- КИКОИНА - НОСКОВА ЭФФЕКТ
- возникновение электрич. поля Е в освещённом полупроводнике, помещённом в магн. поле Н. Электрич. поле Е перпендикулярно Н и потоку носителей заряда, диффундирующих в направлении к неосвещённой стороне полупроводника. Открыт в 1933 И. К. Кикоиным и М. М. Носковым. Подробнее см. фотомагнитоэлектрический эффект.
Естествознание. Энциклопедический словарь
возникновение электрич. поля Е в освещённом полупроводнике, помещённом в магнитное поле Н. Направление поля Е перпендикулярно как Н, так и потоку носителей заряда, диффундирующих от освещённой поверхности полупроводника (где они возникают под действием света) к неосвещённой. Открыт И. К. Кикоиным и М. М. Но-сковым в 1933.