Полупроводниковые приборы

Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника)П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика)— для непосредственного преобразования одних видов энергии в другие.

Известно много разнообразных способов классификации П. п., например по назначению и принципу действия, по типу материала, конструкции и технологии, по области применения. Однако к основным классам П. п. относят следующие: электропреобразовательные приборы, преобразующие одни электрические величины в др. электрические величины (Полупроводниковый диод, Транзистор, Тиристор); оптоэлектронные приборы, преобразующие световые сигналы в электрические и наоборот (Оптрон, Фоторезистор, Фотодиод, Фототранзистор, Фототиристор.Полупроводниковый лазер, Светоизлучающий диод, твердотельный преобразователь изображения — аналог Видикона и т.п.); термоэлектрические приборы, преобразующие тепловую энергию в электрическую и наоборот (Термоэлемент, Термоэлектрический генератор, Солнечная батарея, Термистор и т.п.); магнитоэлектрич. приборы (датчик, использующий Холла эффект, и т.п.); пьезоэлектрический и тензометрический приборы, которые реагируют на давление или механическое смещение. К отдельному классу П. п. следует отнести интегральные схемы (См. Интегральная схема), которые могут быть электропреобразующими, оптоэлектронными и т.д. либо смешанными, сочетающими самые различные эффекты в одном приборе. Электропреобразовательные П. п. — наиболее широкий класс приборов, предназначенных для преобразования (по роду тока, частоте и т.д.), усиления и генерирования электрических колебаний в диапазоне частот от долей гц до 100 Ггц и более; их рабочие мощности находятся в пределах от <>^-12 вт до нескольких сотен вт, напряжения — от долей в до нескольких тыс. в и ток — от нескольких на до нескольких тыс. а. В зависимости от применяемого полупроводникового материала (См. Полупроводниковые материалы) различают германиевые, кремниевые и др. П. п. По конструктивным и технологическим признакам П. п. разделяют на точечные и плоскостные; последние, в свою очередь, делят на сплавные, диффузионные, мезапланарные, планарные (наиболее распространены, см. Планарная технология), эпипланарные и др. В соответствии с областью применения различают высокочастотные, высоковольтные, импульсные и др. П. п.

П. п. выпускают в металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах, защищающих приборы от внешних воздействий; для использования в гибридных интегральных схемах выпускаются т. н. бескорпусные П. п. (см. Микроэлектроника). Номенклатура П. п., выпускаемых во всех странах, насчитывает около 100 000 типов приборов различного назначения. См. также Полупроводниковая электроника.

Я. А. Федотов.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ - электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), а также для преобразования изображений, измерения электрической и механической величины и др. Особый класс полупроводниковых приборов - полупроводниковые интегральные схемы, представляющие собой законченные электронные устройства в виде единого блока (пластинки) из Si, Ge и др., на котором методами полупроводниковой технологии (преимущественно планарной) образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов (диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и т. д.).

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

общее название разнообразных приборов, действие к-рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p — n-переходы (см. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл. явления, связанные с чувствительностью полупроводников к внеш. воздействиям (изменению темп-ры, действию света, электрич. и магн. полей и др.), а также поверхностные свойства полупроводников (контакт полупроводник — металл, полупроводник -диэлектрик и их сочетания).

Наряду с одиночными П. п., классификация к-рых приведена в табл. 1, 2, 3, к П. п. относят также полупроводниковые и н т е г р а л ь н ы е м и к р о с х е м ы — монолитные функциональные узлы, все элементы к-рых изготавливаются в едином технология, процессе.

Табл. 1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ НА ОСНОВЕ ОДНОРОДНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА

Табл. 2. МНОГОПЕРЕХОДНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Табл. 3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ С ОДНИМ p-n-ПЕРЕХОДОМ, ГЕТЕРОПЕРЕХОДОМ ИЛИ ПЕРЕХОДОМ МЕТАЛЛ — ПОЛУПРОВОДНИК

полупроводнико́вые прибо́ры

электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), а также для преобразования изображений, измерения электрической и механической величины и др. Особый класс полупроводниковых приборов — полупроводниковые интегральные схемы, представляющие собой законченные электронные устройства в виде единого блока (пластинки) из Si, Ge и др., на котором методами полупроводниковой технологии (преимущественно планарной) образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов (диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и т. д.).

* * *

ПОЛУПРОВОДНИКО́ВЫЕ ПРИБО́РЫ, электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), а также для преобразования изображений, измерения электрической и механической величины и др. Особый класс полупроводниковых приборов — полупроводниковые интегральные схемы, представляющие собой законченные электронные устройства в виде единого блока (пластинки) из Si, Ge и др., на котором методами полупроводниковой технологии (преимущественно планарной) образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов (диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и т. д.).

электронные приборы, действие к-рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (светоизлучающий диод, оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), восприятия и преобразования изображений (напр., приборы с зарядовой связью), а также преобразования механич. и др. величин в электрические (тензорезистор, преобразователь Холла и т. д.). Особый класс П. п. - полупроводниковые интегральные схемы, представляющие собой законченные электронные устройства в виде единого блока (пластинки) из кремния или арсенида галлия, на к-ром методами ПП технологии (преим. планарной) образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов (диодов, транзисторов, резисторов и т. д.).

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах полупроводников (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные сопротивления (см.) (резисторы), полупроводниковые диоды (см.), транзисторы (см.), фоторезисторы, фотодиоды, фотоэлементы (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в др. (фоторезистор, фотодиод, фототранзистор) и одних видов энергии в др. (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), а также для преобразования изображений, измерения электрических и механических величин и др. Достоинства П. п. по сравнению с электровакуумными приборами (см.) следующие: компактность, малые инерционность, потребляемая мощность, размеры и масса; значительно меньшее выделение теплоты в схеме; большие прочность, срок службы и надёжность. Их недостатками являются низкая стойкость к повышенным температурам и радиоактивным излучениям.