Большая Советская энциклопедия
(от Фото... и англ. resist – сопротивляться, препятствовать)
полимерный светочувствительный слой, нанесённый на поверхность полупроводниковой пластины с окисной плёнкой. Ф. используются в полупроводниковой электронике (См. Полупроводниковая электроника) и микроэлектронике (См. Микроэлектроника)(см., например, Планарная технология) для получения на пластине «окон» заданной конфигурации, открывающих доступ к ней травителя. В результате экспонирования Ф. через наложенный на него стеклянный шаблон нужного рисунка ультрафиолетовым излучением (иногда электронным лучом) свойства его меняются: либо растворимость Ф. резко уменьшается (негативный Ф.), либо он разрушается и становится легко удалимым (позитивный Ф.). Последующая обработка растворителем образует в Ф. «окна» на необлучённых участках негативного Ф. или облученных участках позитивного Ф. Типичные Ф.: негативные – слои поливинилового спирта с солями хромовых кислот (См. Хромовые кислоты) или эфирами коричной кислоты (См. Коричная кислота), слои циклизованного каучука с добавками, вызывающими «сшивание» макромолекул под действием света; позитивные – феноло- или крезолоформальдегидная смола с о-нафтохинондиазидом. См. также Фотолитография.
Лит.: Фотолитография и оптика, М. – Берлин, 1974; Мазель Е. З., Пресс Ф. П., Планарная технология кремниевых приборов, М., 1974.
Большой англо-русский и русско-английский словарь
photoresistphotoresist
Энциклопедический словарь нанотехнологий
- Термин
- фоторезист
Русско-английский политехнический словарь
photoresist lacquer, photoemulsion, photoresist, photo resist, resist
* * *
фоторези́ст м.photoresist (material)
жи́дкий фоторези́ст — liquid photoresist
задублё́нный фоторези́ст — hardened photoresist
засве́ченный фоторези́ст — exposed photoresist
обра́тный фоторези́ст — negative photoresist
пласти́ческий фоторези́ст — plastic photoresist
полимеризо́ванный фоторези́ст — hardened photoresist
прямо́й фоторези́ст — positive photoresist
* * *
photoresist
Dictionnaire technique russo-italien
м.
fotoresist m