Магнетосопротивление

магниторезистивный эффект, изменение электрического сопротивления твёрдого проводника под действием внешнего магнитного поля. Различают поперечное М., при котором электрический ток течёт перпендикулярно магнитному полю, и продольное М. (ток параллелен магнитному полю). Причина М. — искривление траекторий носителей тока в магнитном поле. У полупроводников (См. Полупроводники) относительное изменение сопротивления Δρ/ρ в 100 — 10 000 раз больше, чем у металлов (См. Металлы), и может достигать сотен %. М. относится к группе гальваномагнитных явлений (См. Гальваномагнитные явления). М. используется для исследования электронного энергетического спектра и механизма рассеяния носителей тока кристаллической решёткой, а также для измерения магнитных полей.

Лит.: Лифшиц И. М., Азбель М. Я., Каганов М. И., Электронная теория металлов, М., 1971; Блатт Ф., Физика электронной проводимости в твердых телах, пер. с англ., М., 1971; Ансельм А. И., Введение в теорию полупроводников, М. — Л., 1962.

Э. М. Эпштейн.

МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ (магниторезистный эффект) - изменение электрического сопротивления проводника под действием магнитного поля. Обусловлено искривлением в магнитном поле траекторий носителей заряда. В обычных металлах при комнатной температуре сопротивление может изменяться на десятые доли % (при низких температурах в тех же полях сильнее), в ферромагнетиках - на единицы % (в поле напряженностью Н ~10 кЭ, т. е. ~106 А/м). В полупроводниках магнетосопротивление значительно больше и резко зависит от концентрации примесей и температуры.

МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ

относительное изменение уд. электрич. сопротивления r проводника в магн. поле Н к его уд. сопротивлению r0 в отсутствии поля.

Различают поперечное М. Dr^/r0=(r^-r0)/r0 и продольное

Dr?/r0=(r?-r0)/r0 (см. МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ).

магнетосопротивле́ние

(магниторезистивный эффект), изменение электрического сопротивления проводника под действием магнитного поля. Обусловлено искривлением в магнитном поле траекторий носителей заряда. В обычных металлах при комнатной температуре сопротивление может изменяться на десятые доли % (при низких температурах в тех же полях сильнее), в ферромагнетиках — на единицы % (в поле напряжённостью Н магнетосопротивле́ние 10кЭ, то есть магнетосопротивле́ние10⁶А/м). В полупроводниках магнетосопротивление значительно больше и резко зависит от концентрации примесей и температуры.

* * *

МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕ́НИЕ (магниторезистный эффект), изменение электрического сопротивления проводника под действием магнитного поля. Обусловлено искривлением в магнитном поле траекторий носителей заряда. В обычных металлах при комнатной температуре сопротивление может изменяться на десятые доли % (при низких температурах в тех же полях сильнее), в ферромагнетиках — на единицы % (в поле напряженностью Н МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ10 кЭ, т. е. МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ10⁶ А/м). В полупроводниках магнетосопротивление значительно больше и резко зависит от концентрации примесей и температуры.

(магниторезистивный эффект), изменение электрич. сопротивления проводника под действием магн. поля. Обусловлено искривлением в магн. поле траекторий носителей заряда. В обычных металлах при комнатной темп-ре сопротивление может изменяться на десятые доли % (при низких теми-pax и тех же полях сильнее), в ферромагнетиках - на единицы % (в поле напряжённостью Н = 10 кЭ, т. е. к 10⁶ А/м). В полупроводниках М. значительно больше и резко зависит от концентрации примесей и темп-ры.