Большая Советская энциклопедия
Ржанов Анатолий Васильевич (р. 9.4.1920, г. Иваново), советский физик, член-корреспондент АН СССР (1962). Член КПСС с 1943. Окончил Ленинградский политехнический институт (1941). В 1944‒62 в Физическом институте АН СССР, с 1962 директор института физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР. Одновременно с 1963 преподаёт в Новосибирском университете (с 1966 профессор). Основные труды по физике диэлектриков и полупроводников и полупроводниковой электронике. Открыл и исследовал пьезоэффект в поляризованной керамике на основе титаната бария. Создал и исследовал образцы точечно-контактных и вплавленных германиевых диодов и триодов. Изучал процессы объёмной и поверхностной рекомбинаций в полупроводниках, происхождение и свойства поверхностных электронных состояний. Награжден 2 орденами, а также медалями.
Соч.: Электронные процессы на поверхности полупроводников, М., 1971.
Большой энциклопедический словарь
РЖАНОВ Анатолий Васильевич (р. 1920) - российский физик, академик РАН (1991; академик АН СССР с 1984). Труды по физике диэлектриков и полупроводников, полупроводниковой электронике.
Энциклопедический словарь
Ржа́нов Анатолий Васильевич
(р. 1920), физик, академик РАН (1984). Труды по физике диэлектриков и полупроводников, полупроводниковой электронике.
* * *
РЖАНОВ Анатолий ВасильевичРЖА́НОВ Анатолий Васильевич (9 апреля 1920, Иваново — 25 июля 2000, Новосибирск), российский физик, академик РАН (1991; академик АН СССР с 1984). Труды по физике диэлектриков и полупроводников, полупроводниковой электронике.
В 1941 окончил Ленинградский политехнический институт. Участник Великой Отечественной войны. После тяжелого ранения в 1943 был демобилизован. В 1948 окончил аспирантуру Физического института им. Лебедева, в котором начал первые в СССР работы по созданию полупроводникового транзистора.
В 1962 по приглашению академика М.А.Лаврентьева(см. ЛАВРЕНТЬЕВ Михаил Алексеевич) перебрался в новосибирский Академгородок, где организовал и возглавил Институт физики твердого тела и полупроводниковой электроники (впоследствии Институт физики полупроводников его имени). Открыл и исследовал пьезоэффект(см. ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ) в поляризованной керамике на основе титаната бария. Создал и исследовал образцы точечно-контактных и вплавленных германиевых диодов и триодов. Изучал процессы объемной и поверхностной рекомбинаций в полупроводниках, происхождение и свойства поверхностных электронных состояний, разработал энергонезависимые матричные элементы памяти, различные приборы и устройства СВЧ-электроники и фотоприемные устройства от видимого до дальнего инфракрасного диапазона спектра излучения.
В 1963—2000 преподавал в Новосибирском университете, где основал кафедру физики полупроводников.