Ганна диод

полупроводниковый прибор, работа которого основана на Ганна эффекте. Основным элементом Г. д. является полупроводниковый кристалл из арсенида галлия, фосфида индия или др. толщиной от единиц до сотен мкм, к которому присоединены 2 омических контакта. Удельное электрическое сопротивление кристалла — от -Ганна диод 0,001 до Ганна диод0,01 ом- м. Эффект Ганна в нём возникает при достижении «критической» напряжённости поля (в арсениде галлия около 300 кв/м). Для создания промышленных Г. д. используют арсенид галлия. Г. д. применяют для усиления и генерирования электрических колебаний (См. Генерирование электрических колебаний) мощностью порядка нескольких квт (в импульсном режиме) и сотен мвт (в непрерывном режиме) на частотах от Ганна диод0,1 до Ганна диод100 Ггц, а также для создания быстродействующих логических и функциональных элементов электронных устройств.

ГАННА ДИОД - полупроводниковый диод, действие которого основано на Ганна эффекте. Применяется преимущественно для усиления и генерирования СВЧ-колебаний.

Га́нна дио́д

полупроводниковый диод, действие которого основано на Ганна эффекте. Применяется преимущественно для усиления и генерирования СВЧ-колебаний.

* * *

ГА́ННА ДИО́Д, полупроводниковый диод, действие которого основано на Ганна эффекте. Применяется преимущественно для усиления и генерирования СВЧ-колебаний.

[по имени амер. физика Дж. Б. Ганна (J. В. Gunn; p. 1928)] - полупроводниковый диод, действие к-рого осн. на Гонка эффекте. Предназначен для генерирования и усиления СВЧ колебаний на частотах от 0,1 до 100 ГГц. Обычно представляет собой ПП слой с вертикальной структурой типа п⁺ - п - п⁺ (толщиной от единиц до десятков мкм), заключённый между двумя контактами (катодом и анодом); изготовляется чаще всего на основе арсенила галия GaAs или фосфида индия InP методом эпитаксиального наращивания. Г. д. характеризуются низким рабочим напряжением питания (от единиц до десятков В), низким уровнем амплитудных шумов. Выходная мощность до неск. кВт с кпд до 30% в импульсном режиме и до десятков Bт с кпд до 10% - в непрерывном. Г. д. применяются в качестве СВЧ усилителей, СВЧ генераторов и преобразователей электрич. импульсов в телеметрич. системах, переносных радиолокац. станциях, радио-локац. высотомерах и др. Планарные Г. д. (с горизонтальной ПП структурой) используются в составе быстродействующих интегральных схем.

полупроводн. диод, действие к-рого основано на Ганна эффекте. Применяется преим. для усиления и генерирования СВЧ колебаний.