Рассмотрены математические модели системы Si-SiO2, способы стабилизации ее структурно-примесного состава и электрофизических параметров. На основе известных публикаций и собственных теоретических и экспериментальных исследований авторы описали модели технологического процесса термического окисления кремния. Рассмотрены электронно-ионные процессы в системе Si-SiO2, а также структурный и фазовый состав ее переходной области.

Книга предназначена специалистам по проектированию и производству микросхем, студентам, аспирантам и преподавателям технических вузов. Это и многое другое вы найдете в книге Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС (Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев)