Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные диэлектрики Al2O3, HfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, твердые растворы (HfO2)x(Al2O3)1 – x. Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах: оксида SiO2, оксинитрида SiOxNy и нитрида Si3N4 кремния. Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой твердого тела и микроэлектроникой. Это и многое другое вы найдете в книге Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах (Коллектив авторов)