О книге

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.

Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Напишите вашу рецензию на книгу:
Константин Иванович Таперо, Виктор Николаевич Улимов, Александр Михайлович Членов «Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения»

Рецензии пользователей

Пока еще никто не написал рецензию на эту книгу.