Представлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМС в полях ионизирующих излучений. Рассмотрены особенности вторичных ионизирующих эффектов - радиационного "Защелкивания", радиационно-индуцированного вторичного пробоя и т.д.; влияние остаточных и переходных ионизационных эффектов на характеристики типовых элементов цифровых и аналоговых ИМС. Проанализированы радиационные эффекты в цифровых и аналоговых ИМС общего назначения и рассмотрено радиационное поведение БИС, включая анализ микродозиметрических эффектов, функциональных эффектов.

Для научных работников и специалистов, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры в области ядерного приборостроения, космической техники и связи. Это и многое другое вы найдете в книге Радиационные эффекты в интегральных микросхемах (Т. М. Агаханян, Е. Р. Аствацатурьян, П. К. Скоробогатов)