Дается описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. Исследуются импульсные и статические характеристики электронно-дырочного перехода с учетом влияния токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки. Рассматриваются принцип действия, статические, высокочастотные, импульсные характеристики и физические параметры биполярных и униполярных транзисторов, приводятся их эквивалентные схемы, учитывающие специфику расчета различных электронных устройств. Книга предназначена для аспирантов и студентов, специализирующихся по радиоэлектронике, автоматике, вычислительной технике. Она будет представлять интерес и для инженеров, занимающихся разработкой, производством и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры. Это и многое другое вы найдете в книге Основы транзисторной электроники (Т. М. Агаханян)