Книга посвящена возникшему в последние годы методу введения в полупроводники примесных элементов в виде ускоренных ионов. Метод позволяет регулировать плотность примесных атомов и глубину их проникновения в основной материал, а поэтому чрезвычайно перспективен для изготовления микроэлектронных приборов. В книге рассмотрены все стороны вопроса о внедрении ускоренных ионов в одноатомные полупроводники. Книга рассчитана на специалистов в области полупроводниковой технологии, радиационной физики полупроводников и полупроводниковых приборов, физики твердого тела, а также на аспирантов и студентов соответствующих специальностей. Это и многое другое вы найдете в книге Ионное легирование полупроводников (кремний и германий) (Дж. Мейер, Л. Эриксон, Дж. Дэвис)