Рассмотрены проблемы образования и включения неконтролируемых примесей в структуру полупроводникового прибора. Дан подробный анализ и определены требования, выдвигаемые к исходным материалам, технологическим средам и оборудованию; подробно описаны основные технологические процессы и оборудование, используемые в субмикронной технологии. Впервые дана классификация и подробно рассмотрены различные дефекты, образующиеся в системе Si-SiO2 в процессе ее изготовления; проведен анализ известных методов геттерирования. С единой научной концепции, основанной на анализе структурно-примесных дефектов системы Si-SiO2, рассмотрена нестабильность электрических свойств структур металл (поликристаллический кремний) диоксид кремния - кремний, связанная с дрейфом ионов и забросом носителей заряда в слой окисленного кремния. Дан критический анализ известных способов стабилизации системы Si-SiO2, подробно рассмотрены наиболее перспективные, которые могут быть использованы в субмикронной технологии... Это и многое другое вы найдете в книге Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС (Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев)