О книге

С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления

Напишите вашу рецензию на книгу:
Виктор Николаевич Мурашев, Евгений Александрович Ладыгин, Петр Борисович Лагов «Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет»

Рецензии пользователей

Пока еще никто не написал рецензию на эту книгу.